삼성전자, 3D DRAM 시대 선도: 핀펫 기술 적용으로 성능 한계 돌파
2025-07-15
지디넷코리아
삼성전자가 차세대 DRAM 기술인 3D DRAM 시대를 앞당기기 위해 핀펫(FinFET) 기술 적용을 가속화하고 있다고 밝혔습니다. 기존 DRAM 기술의 한계에 직면하면서, 더욱 혁신적인 기술 도입이 필수적이라는 분석입니다. 오정훈 삼성전자 마스터는 '2025년도 반도체공학회 하계종합학술대회'에서 “BCAT(Buried Channel Array Transistor) 기반 기존 DRAM은 10nm 미만에서 성능 향상에 어려움을 겪을 수 있다” ...더 읽기
