삼성, HBM4 설계 기술 혁신으로 AI 시장 선점 노려! 발열·수율 문제 해결
삼성전자가 차세대 메모리 시장을 선도하기 위한 핵심 기술 개발에 성공하며 AI 시장 판도를 뒤흔들 준비를 마쳤습니다. 특히 고대역폭메모리(HBM)4에 대한 대응력을 확보하며 업계의 주목을 받고 있습니다.
이번에 삼성전자가 완성한 기술은 6세대(1c) D램 개발 과정에서 이루어진 것으로, D램 칩 내부의 핵심 통로 역할을 하는 '중앙 배선층' 구조를 혁신적으로 개선한 것입니다. 중앙 배선층은 전력과 신호가 지나가는 중요한 경로인데, 그동안 이 부분의 개선은 기술적인 난제로 여겨져 왔습니다.
삼성전자는 중앙 배선층 구조를 새롭게 설계하여 발열 문제를 획기적으로 줄이는 동시에 성능 향상까지 이끌어냈습니다. 이는 메모리 칩의 안정성과 효율성을 높이는 데 크게 기여할 것으로 예상됩니다. 특히 HBM4는 AI 연산에 필요한 막대한 데이터를 빠르게 처리해야 하는데, 삼성전자의 새로운 기술은 이러한 요구사항을 충족시키는 데 중요한 역할을 할 것입니다.
업계 관계자들은 삼성전자의 이번 기술 개발 성공을 메모리 기술 주도권을 되찾기 위한 중요한 전환점으로 평가하고 있습니다. HBM4는 AI 반도체와 함께 시스템 성능을 결정하는 핵심 부품으로, 삼성전자가 이 분야에서 기술 우위를 확보함으로써 AI 시장 경쟁에서 유리한 위치를 차지할 수 있을 것으로 전망됩니다.
삼성전자는 앞으로도 지속적인 연구 개발 투자를 통해 메모리 기술 리더십을 강화하고, AI 시대에 필요한 혁신적인 제품을 선보일 계획입니다. 이번 HBM4 설계 기술 혁신은 삼성전자가 AI 시장을 선점하기 위한 강력한 발판이 될 것으로 기대됩니다.
주요 특징:
- 6세대(1c) D램 개발 완료
- HBM4 대응 기반 확보
- 중앙 배선층 구조 혁신을 통한 발열 및 성능 개선
- 메모리 기술 주도권 회복 기대
